品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA06EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2712pF@30V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA06EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP45N06VUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@23A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:11A€20A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7120ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:11A€20A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS5672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@30V
连续漏极电流:10.6A€22A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7262E
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€43W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@30V
连续漏极电流:21A€34A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7120ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP45N06VUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@23A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP45N06VUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@23A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP45N06VUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@23A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2712pF@30V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6262E
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7120ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7120ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7262E
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€43W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@30V
连续漏极电流:21A€34A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7262E
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€43W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@30V
连续漏极电流:21A€34A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7120ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:117W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2712pF@30V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: