品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":689,"21+":55972,"MI+":10500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":219194,"20+":4480,"23+":1500,"MI+":30905}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16322Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1365pF@12.5V
连续漏极电流:21A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16322Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1365pF@12.5V
连续漏极电流:21A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16322Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1365pF@12.5V
连续漏极电流:21A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16322Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1365pF@12.5V
连续漏极电流:21A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":219194,"20+":4480,"23+":1500,"MI+":30905}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16322Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1365pF@12.5V
连续漏极电流:21A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16322Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1365pF@12.5V
连续漏极电流:21A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16322Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1365pF@12.5V
连续漏极电流:21A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16322Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1365pF@12.5V
连续漏极电流:21A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16322Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1365pF@12.5V
连续漏极电流:21A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16322Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1365pF@12.5V
连续漏极电流:21A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16322Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1365pF@12.5V
连续漏极电流:21A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16322Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1365pF@12.5V
连续漏极电流:21A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16322Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1365pF@12.5V
连续漏极电流:21A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16322Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1365pF@12.5V
连续漏极电流:21A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16322Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1365pF@12.5V
连续漏极电流:21A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16322Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1365pF@12.5V
连续漏极电流:21A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: