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    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    漏源电压: 1700V
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    Microchip Mosfet场效应管 MSC750SMA170B4 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 MSC750SMA170B4 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC750SMA170B4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.25V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:184pF@1360V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:940mΩ@2.5A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 MSC750SMA170B 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 MSC750SMA170B 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):90psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC750SMA170B

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.25V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:184pF@1360V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:940mΩ@2.5A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBF170R450M1XTMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBF170R450M1XTMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBF170R450M1XTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:5.7V@2.5mA

    栅极电荷:11nC@12V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@1000V

    连续漏极电流:9.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@2A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBF170R1K0M1XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBF170R1K0M1XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBF170R1K0M1XTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:5.7V@1.1mA

    栅极电荷:5nC@12V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@1000V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1000mΩ@1A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 MSC035SMA170B4 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 MSC035SMA170B4 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC035SMA170B4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:370W

    阈值电压:3.25V@2.5mA

    栅极电荷:178nC@20V

    包装方式:散装

    输入电容:3300pF@1000V

    连续漏极电流:68A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@30A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L028N170M1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:535W

    阈值电压:4.3V@20mA

    栅极电荷:200nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:4230pF@800V

    连续漏极电流:81A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@60A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Littelfuse Mosfet场效应管 LSIC1MO170E0750 起订1个装
    Littelfuse Mosfet场效应管 LSIC1MO170E0750 起订1个装

    品牌:Littelfuse

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):LSIC1MO170E0750

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:13nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:200pF@1000V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBF170R650M1XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBF170R650M1XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBF170R650M1XTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:5.7V@1.7mA

    栅极电荷:8nC@12V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:422pF@1000V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@1.5A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订25个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订25个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBF170R650M1XTMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBF170R650M1XTMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBF170R650M1XTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:5.7V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@12V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:422pF@1000V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@1.5A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订250个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订250个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBF170R650M1XTMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBF170R650M1XTMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBF170R650M1XTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:5.7V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@12V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:422pF@1000V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@1.5A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订100个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订100个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订500个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订500个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:111pF@1000V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBF170R650M1XTMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBF170R650M1XTMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBF170R650M1XTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:5.7V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@12V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:422pF@1000V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@1.5A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 MSC750SMA170B 起订25个装
    Microchip Mosfet场效应管 MSC750SMA170B 起订25个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):90psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC750SMA170B

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.25V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:184pF@1360V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:940mΩ@2.5A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBF170R1K0M1XTMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBF170R1K0M1XTMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBF170R1K0M1XTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:5.7V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@12V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@1000V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1000mΩ@1A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订3个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订3个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订2500个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订2500个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:111pF@1000V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBF170R1K0M1XTMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBF170R1K0M1XTMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBF170R1K0M1XTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:5.7V@1.1mA

    栅极电荷:5nC@12V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@1000V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1000mΩ@1A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBF170R1K0M1XTMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBF170R1K0M1XTMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBF170R1K0M1XTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:5.7V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@12V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@1000V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1000mΩ@1A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订120个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订120个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBF170R450M1XTMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBF170R450M1XTMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBF170R450M1XTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:5.7V@2.5mA

    栅极电荷:11nC@12V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@1000V

    连续漏极电流:9.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@2A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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