品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1706pF@10V
连续漏极电流:12.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3420
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1706pF@10V
连续漏极电流:12.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1706pF@10V
连续漏极电流:12.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2050L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:6.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:532pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2050L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:6.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:532pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3420
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F30FHQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:452pF@10V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2050L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:6.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:532pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3420
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3420
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2050L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:6.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:532pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2050L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:532pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3420
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2050L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:6.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:532pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3416A
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: