采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6443-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@3A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI07301
工作温度：150℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2.5V@350µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：23.2mΩ@12.4A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K516NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4615R-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@600µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K131TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：27.6mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K516NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7N52DK3
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@50V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@3A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K516NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006JNXC7G
工作温度：150℃
功率：43W
阈值电压：7V@800µA
栅极电荷：15.5nC@15V
包装方式：管件
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：936mΩ@3A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7N52DK3
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@50V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@3A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7N52DK3
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@50V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@3A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI07301
工作温度：150℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2.5V@350µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：23.2mΩ@12.4A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K516NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STT6N3LLH6
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：283pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STT6N3LLH6
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：283pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8006KND3TL1
工作温度：150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@4mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS6NF20V
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：600mV@250µA
栅极电荷：11.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD060N25TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006JNXC7G
工作温度：150℃
功率：43W
阈值电压：7V@800µA
栅极电荷：15.5nC@15V
包装方式：管件
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：936mΩ@3A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
