品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP52N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@26A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMW120R045M1XKSA1
工作温度:-40℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@15V
包装方式:管件
输入电容:2130pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y12-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:9.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R045CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:270W
阈值电压:4.5V@900µA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3194pF@400V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMW120R045M1XKSA1
工作温度:-40℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:57nC@15V
包装方式:管件
输入电容:2130pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R055CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:329W
阈值电压:4.5V@760µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2724pF@400V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@15.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R045M1XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@15V
包装方式:托盘
输入电容:1900pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R045M1XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:52nC@15V
包装方式:托盘
输入电容:1900pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R045M1XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:52nC@15V
包装方式:托盘
输入电容:1900pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH070N60E
工作温度:-55℃~150℃
功率:481W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:166nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4925pF@380V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH52N65X
工作温度:-55℃~150℃
功率:660W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4350pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@26A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW56N60M2-4
工作温度:150℃
功率:350W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@100V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R045CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:270W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3194pF@400V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH52N30P
工作温度:-55℃~150℃
功率:400W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3490pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@500mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R045M1XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:52nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW52NK25Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@150µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4850pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@26A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R045M1XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB52N20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@26A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW56N60M2
工作温度:150℃
功率:350W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@100V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y12-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1039pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R045M1XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
栅极电荷:52nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y12-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1039pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC220N20NSFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@137µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3680pF@100V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@52A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC220N20NSFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@137µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3680pF@100V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@52A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW52NK25Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@150µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4850pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@26A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB52N20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@26A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R045CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:270W
阈值电压:4.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3194pF@400V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMW120R045M1XKSA1
工作温度:-40℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@15V
包装方式:管件
输入电容:2130pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW52NK25Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@150µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4850pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@26A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB52N20TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@26A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: