品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075023K4S
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@40A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0040120K
工作温度:-40℃~175℃
功率:326W
阈值电压:3.6V@9.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@15V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@1000V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:53.5mΩ@33.3A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN80N50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700W
阈值电压:5V@8mA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:12700pF@25V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@500mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK66N85X
工作温度:-55℃~150℃
功率:1250W
阈值电压:5.5V@8mA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:8900pF@25V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@500mA,10V
漏源电压:850V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":20,"18+":20,"21+":1027,"22+":3204,"23+":11315,"24+":15000,"MI+":5915}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW72N60DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5508pF@100V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@33A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW72N60DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5508pF@100V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@33A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC040SMA120B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:323W
阈值电压:2.6V@2mA
栅极电荷:137nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1990pF@1000V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@40A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC040SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:323W
阈值电压:2.7V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:137nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1990pF@1000V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@40A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R0-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:832pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075023K3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@40A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:291W
阈值电压:4.3V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1870pF@325V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5508pF@100V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@33A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1600,"23+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9615-100E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:182W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6813pF@25V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075023K4S
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@40A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:291W
阈值电压:4.3V@8mA
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1870pF@325V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075023K4S
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@40A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC040SMA120B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:323W
阈值电压:2.6V@2mA
栅极电荷:137nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1990pF@1000V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@40A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R4-30MLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:51W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:832pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0040120D
工作温度:-40℃~175℃
功率:326W
阈值电压:3.6V@9.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@15V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@1000V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:53.5mΩ@33.3A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075023K3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@40A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075023K3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@40A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存: