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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：174，"23+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C645NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@50V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：174，"23+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C645NLT1G
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功率：3.7W€79W
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C645NLAFT1G
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功率：3.7W€79W
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类型：N沟道
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C645NLT1G
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类型：N沟道
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C645NLT1G
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C645NLAFT1G
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功率：3.7W€79W
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C645NLT1G
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功率：3.7W€79W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：35000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC882N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@15V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@30A，10V
漏源电压：34V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C645NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C645NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
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类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C645NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
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类型：N沟道
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漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C645NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：174，"23+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C645NLT1G
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ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
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连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
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生产批次：{"13+"：35000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC882N03MSGATMA1
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栅极电荷：55nC@10V
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连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@30A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFS5C645NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
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栅极电荷：34nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFS5C645NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
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栅极电荷：34nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C645NLT1G
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ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
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连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C645NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
阈值电压：2V@250µA
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栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：35000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC882N03MSGATMA1
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类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@30A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C645NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
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类型：N沟道
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C645NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
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类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C645NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"13+"：35000}
规格型号(MPN)：BSC882N03MSGATMA1
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包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：4300pF@15V
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ECCN：EAR99
导通电阻：2.6mΩ@30A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C645NLAFT1G
栅极电荷：34nC@10V
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类型：N沟道
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ECCN：EAR99
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生产批次：{"18+"：174，"23+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C645NLT1G
栅极电荷：34nC@10V
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功率：3.7W€79W
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类型：N沟道
漏源电压：60V
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阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：22A€100A
ECCN：EAR99
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C645NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C645NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@50V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C645NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@50V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C645NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€79W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@50V
连续漏极电流：22A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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