采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM036N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2D8N025S
工作温度：-55℃~150℃
功率：47W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615pF@13V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@28A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2D8N025S
工作温度：-55℃~150℃
功率：47W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615pF@13V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@28A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2D8N025S
工作温度：-55℃~150℃
功率：47W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615pF@13V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@28A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2D8N025S
工作温度：-55℃~150℃
功率：47W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615pF@13V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@28A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM036N03PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2D8N025S
工作温度：-55℃~150℃
功率：47W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615pF@13V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@28A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R20MT17K
工作温度：-55℃~175℃
功率：809W
阈值电压：2.7V@15mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：400nC@15V
包装方式：管件
输入电容：10187pF@1000V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@75A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18513Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@20V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@19A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R20MT17K
工作温度：-55℃~175℃
功率：809W
阈值电压：2.7V@15mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：400nC@15V
包装方式：管件
输入电容：10187pF@1000V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@75A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2D8N025S
工作温度：-55℃~150℃
功率：47W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615pF@13V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@28A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
