品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF45N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@19.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004CNDTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA08N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:3.9V@470µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@5.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF43N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:93mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF20N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@9A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ20PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@10A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP12N65X2M
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1134pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:310mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI840GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:7.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":2299,"13+":2925,"15+":2599,"19+":18000,"20+":9868,"9999":2373}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP202-TL-H
工作温度:150℃
功率:40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF45N65M5
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@19.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZDX050N50
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:散装
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF21N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@100V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@9A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.43Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI840GLCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3564(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@1.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP14NK60ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2220pF@25V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF35N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:14.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK16A60W,S4VX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:3.7V@790µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@300V
连续漏极电流:15.8A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":21000,"MI+":2000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF8N50NZU
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:735pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF21N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1645pF@100V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@9A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:9.9A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBC40GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM090N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: