采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN045-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD060N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN045-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD060N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI1310NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN014-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：702pF@20V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：7000，"24+"：2250}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF6N90C
工作温度：-55℃~150℃
功率：56W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N03S4L06ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN069-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：645pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：72.4mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB21N06LT，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@10A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN014-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：702pF@20V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN030-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：686pF@30V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：24.7mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB21N06LT，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@10A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2830}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN030-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：686pF@30V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：24.7mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6284A
工作温度：-55℃~150℃
功率：56W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@40V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5550，"22+"：2500，"23+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD060N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N25LZTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
输入电容：635pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@3.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN030-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：686pF@30V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：24.7mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN045-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN030-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：686pF@30V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：24.7mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD060N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N03S4L06ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD7N25LZTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
输入电容：635pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@3.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6284A
工作温度：-55℃~150℃
功率：56W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@40V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN069-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：645pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：72.4mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN030-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：686pF@30V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：24.7mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN045-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN045-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN030-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：686pF@30V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：24.7mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN030-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：686pF@30V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：24.7mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
