首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    行业应用
    类型
    工作温度
    阈值电压
    包装方式
    漏源电压
    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~175℃
    阈值电压: 2V@250µA
    当前匹配商品:2900+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSTATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSTATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC011N03LSTATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€115W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6300pF@15V

    连续漏极电流:39A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ44PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ44PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLZ44PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:66nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:3300pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@31A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H801NLT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H801NLT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H801NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€167W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5126pF@40V

    连续漏极电流:24A€160A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLU120NPBF 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLU120NPBF 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLU120NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:14.2A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C468NLT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C468NLT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C468NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@20V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLWFAFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C423NLWFAFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C423NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@20V

    连续漏极电流:31A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMJS0D8N04CLTWG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMJS0D8N04CLTWG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMJS0D8N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.2W€180W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:162nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9600pF@25V

    连续漏极电流:56A€368A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.72mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C453NLTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C453NLTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C453NLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€68W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:23A€107A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC010N04LSTATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC010N04LSTATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC010N04LSTATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€167W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:133nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9520pF@20V

    连续漏极电流:39A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR120NTRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR120NTRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR120NTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C604NLAFT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C604NLAFT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C604NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8900pF@25V

    连续漏极电流:287A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL540NSTRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL540NSTRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL540NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€140W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@18A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRL510STRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRL510STRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL510STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€43W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@3.4A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D6N04CLTXG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D6N04CLTXG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS0D6N04CLTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€245W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:265nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16013pF@20V

    连续漏极电流:78.9A€554.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.42mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSTATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC011N03LSTATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC011N03LSTATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€115W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:48nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6300pF@15V

    连续漏极电流:39A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C673NLTAG 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C673NLTAG 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C673NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€46W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:13A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD60NF55LAT4 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD60NF55LAT4 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD60NF55LAT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:40nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL530NSTRLPBF 起订800个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL530NSTRLPBF 起订800个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL530NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€79W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:34nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03R 起订2466个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03R 起订2466个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":44600,"07+":75,"08+":450}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD70N03R

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.2nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1333pF@20V

    连续漏极电流:10A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR2705TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR2705TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR2705TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@17A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLD110PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLD110PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLD110PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@600mA,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C604NLT1G-UIL3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C604NLT1G-UIL3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C604NLT1G-UIL3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€200W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8900pF@25V

    连续漏极电流:40A€287A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLZ44NSTRLPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLZ44NSTRLPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLZ44NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:48nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP100N04S2L03AKSA2 起订196个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP100N04S2L03AKSA2 起订196个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":16000,"16+":20500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP100N04S2L03AKSA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:230nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:14.2A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP80N04S2L03AKSA1 起订305个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP80N04S2L03AKSA1 起订305个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":2982,"15+":9597}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP80N04S2L03AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:213nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ14PBF 起订62个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLZ14PBF 起订62个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLZ14PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C646NLAFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C646NLAFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€79W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2164pF@25V

    连续漏极电流:20A€93A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N02R-35G 起订2671个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N02R-35G 起订2671个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":19425}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD60N02R-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.25W€58W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1330pF@20V

    连续漏极电流:8.5A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧