采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E030AJTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：917psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6612A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@5V
包装方式：散装
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG11N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：804pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ370UNEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.05V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：490mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC160N15NS5SCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.6V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@75V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@28A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ035N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB95R130PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：3.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4170pF@400V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@25.1A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT250N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC120N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：12A€39A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA52DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：150nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7150pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830ASTRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW65R027M1HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：189W
阈值电压：5.7V@11mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2131pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@38.3A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB22N60AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1451pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103，235
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：400mV@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@24V
连续漏极电流：850mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4842BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3650pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2504N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@20V
连续漏极电流：890mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R028G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：391W
阈值电压：4V@1.44mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：123nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4820pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@28.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7806ADN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBE20GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@840mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB22N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1920pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVA4001NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@5V
连续漏极电流：238mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG14N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1144pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@40V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R180C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：68W
阈值电压：4V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ40N50L2
工作温度：-55℃~150℃
功率：540W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：320nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10400pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@20A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16570Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€195W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.59mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@12V
连续漏极电流：41A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
