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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHC5513T1G
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W
阈值电压：1.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF @ 10V
连续漏极电流：2.9A，2.2A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：80 毫欧 @ 2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6333C
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：700mW
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：6.6nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：282pF @ 15V
连续漏极电流：2.5A，2A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：95 毫欧 @ 2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5504BDC-T1-E3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.12W，3.1W
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：7nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF @ 15V
连续漏极电流：4A，3.7A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：65 毫欧 @ 3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3590DV-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：4.5nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A，1.7A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：77 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6333C
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：282pF @ 15V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 和 P 沟道
栅极电荷：6.6nC @ 10V
连续漏极电流：2.5A，2A
导通电阻：95 毫欧 @ 2.5A，10V
功率：700mW
阈值电压：3V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHC5513T1G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF @ 10V
栅极电荷：4nC @ 4.5V
连续漏极电流：2.9A，2.2A
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 和 P 沟道
功率：1.1W
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：80 毫欧 @ 2.9A，4.5V
阈值电压：1.2V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
