品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8870
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615 pF @ 15 V
连续漏极电流:18A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8870
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615 pF @ 15 V
连续漏极电流:18A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8870
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615 pF @ 15 V
连续漏极电流:18A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8870
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615 pF @ 15 V
连续漏极电流:18A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8870
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615 pF @ 15 V
连续漏极电流:18A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8870
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615 pF @ 15 V
连续漏极电流:18A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4845NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:890mW(Ta),62.5W(Tc)
输入电容:3720 pF @ 12 V
阈值电压:2.5V @ 250µA
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
连续漏极电流:13.7A(Ta),115A(Tc)
栅极电荷:62 nC @ 11.5 V
导通电阻:2.9 毫欧 @ 30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: