品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8870
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615 pF @ 15 V
连续漏极电流:18A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":6944,"16+":30000,"17+":1735}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD4806NT4G
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:1.4W(Ta),68W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2142 pF @ 12 V
连续漏极电流:11.3A(Ta),79A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:6 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
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栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
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输入电容:1700 pF @ 15 V
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类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
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ECCN:EAR99
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导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8870
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
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连续漏极电流:18A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
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类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":6944,"16+":30000,"17+":1735}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD4806NT4G
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:1.4W(Ta),68W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2142 pF @ 12 V
连续漏极电流:11.3A(Ta),79A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:6 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":6944,"16+":30000,"17+":1735}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD4806NT4G
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:1.4W(Ta),68W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2142 pF @ 12 V
连续漏极电流:11.3A(Ta),79A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:6 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8870
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615 pF @ 15 V
连续漏极电流:18A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8870
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615 pF @ 15 V
连续漏极电流:18A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V @ 250µA
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
栅极电荷:47 nC @ 10 V
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
功率:70W(Tc)
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V @ 250µA
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
栅极电荷:47 nC @ 10 V
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
ECCN:EAR99
功率:70W(Tc)
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":6944,"16+":30000,"17+":1735}
规格型号(MPN):NVD4806NT4G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2142 pF @ 12 V
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:23 nC @ 4.5 V
类型:N 通道
导通电阻:6 毫欧 @ 30A,10V
连续漏极电流:11.3A(Ta),79A(Tc)
功率:1.4W(Ta),68W(Tc)
ECCN:EAR99
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8870
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615 pF @ 15 V
连续漏极电流:18A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8870
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:112 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4615 pF @ 15 V
连续漏极电流:18A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:4.2 毫欧 @ 18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4810N-35G
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:1.4W(Ta),50W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:11 nC @ 4.5 V
包装方式:管件
输入电容:1350 pF @ 12 V
连续漏极电流:9A(Ta),54A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:10 毫欧 @ 30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4845NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:890mW(Ta),62.5W(Tc)
输入电容:3720 pF @ 12 V
阈值电压:2.5V @ 250µA
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:N 通道
连续漏极电流:13.7A(Ta),115A(Tc)
栅极电荷:62 nC @ 11.5 V
导通电阻:2.9 毫欧 @ 30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: