采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6637
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€57W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@20V
连续漏极电流：13A€55A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y33-60P，115
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：69nC@10V
输入电容：2.59nF@30V
连续漏极电流：30A
类型：1个P沟道
导通电阻：33mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML5203TR(UMW)
功率：300mW
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：85mΩ@10V，4.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20P10KE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.354nF@50V
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
导通电阻：94mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.419nF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6637
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€57W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@20V
连续漏极电流：13A€55A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN50EPEX
功率：560mW€6.25mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6637
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€57W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@20V
连续漏极电流：13A€55A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN50EPEX
功率：560mW€6.25mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0605
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：25P06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：3.384nF@30V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：31mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN50EPEX
功率：560mW€6.25mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC654P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0605
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN50EPEX
功率：560mW€6.25mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML5203TR(UMW)
功率：300mW
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：85mΩ@10V，4.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6637
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€57W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@20V
连续漏极电流：13A€55A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.6mΩ@10V，14A
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC654P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0605
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
