品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84_R1_00001
功率:200mW
阈值电压:2V@1mA
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:10Ω@5V,100mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025P02FRATL
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5V,2.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":60244}
包装规格(MPQ):295psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ529L06-E
功率:20W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:580pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:1个P沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":60244}
包装规格(MPQ):295psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ529L06-E
功率:20W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:580pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:1个P沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":60244}
包装规格(MPQ):295psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ529L06-E
功率:20W
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ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:580pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:1个P沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
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库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84_R1_00001
功率:200mW
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连续漏极电流:130mA
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导通电阻:10Ω@5V,100mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
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导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
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连续漏极电流:130mA
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导通电阻:2Ω@5V,1mA
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025P02FRATL
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5V,2.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
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库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":60244}
包装规格(MPQ):295psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ529L06-E
功率:20W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:580pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:1个P沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4550}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ358-T1-AZ
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.9nC@10V
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4550}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ358-T1-AZ
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.9nC@10V
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
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库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84_R1_00001
功率:200mW
阈值电压:2V@1mA
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:10Ω@5V,100mA
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025P02FRATL
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
连续漏极电流:2.5A
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":60244}
包装规格(MPQ):295psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ529L06-E
功率:20W
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包装方式:散装
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连续漏极电流:10A
类型:1个P沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
导通电阻:2Ω@5V,1mA
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:45pF@25V
漏源电压:50V
类型:1个P沟道
阈值电压:2V@1mA
连续漏极电流:130mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4550}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ358-T1-AZ
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.9nC@10V
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连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):295psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ529L06-E
功率:20W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:散装
输入电容:580pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:1个P沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4550}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ358-T1-AZ
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.9nC@10V
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连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存: