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品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS150P04SC
功率：1.7W
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：18mΩ@4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESB409L
功率：69W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：46.6nC
输入电容：3.02nF
连续漏极电流：33A
类型：1个P沟道
反向传输电容：160pF
导通电阻：27mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P03D3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：24.5nC@10V
输入电容：1.253nF@15V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
反向传输电容：158pF@15V
导通电阻：17mΩ@10V，6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS40P03DP
功率：44W
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：40A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P03D3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：24.5nC@10V
输入电容：1.253nF@15V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
反向传输电容：158pF@15V
导通电阻：17mΩ@10V，6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN4485
功率：3.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：42nC
输入电容：2.5nF
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：180pF
导通电阻：10.5mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN4485
功率：3.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：42nC
输入电容：2.5nF
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：180pF
导通电阻：10.5mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：10A
功率：2.1W
栅极电荷：11nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：1.25nF@15V
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：10A
功率：2.1W
栅极电荷：11nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：1.25nF@15V
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4485
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：42nC
输入电容：2.5nF
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
反向传输电容：180pF
导通电阻：13mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN4485
功率：3.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：42nC
输入电容：2.5nF
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：180pF
导通电阻：10.5mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESB409L
功率：69W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：46.6nC
输入电容：3.02nF
连续漏极电流：33A
类型：1个P沟道
反向传输电容：160pF
导通电阻：27mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4485
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：42nC
输入电容：2.5nF
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
反向传输电容：180pF
导通电阻：13mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESB409L
功率：69W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：46.6nC
输入电容：3.02nF
连续漏极电流：33A
类型：1个P沟道
反向传输电容：160pF
导通电阻：27mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4485
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：42nC
输入电容：2.5nF
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
反向传输电容：180pF
导通电阻：13mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
