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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G29
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：12.5nC@10V
输入电容：1.151nF@10V
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G6K8P15SE
阈值电压：4V
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：660mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4405
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：9.5nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
反向传输电容：63pF
导通电阻：35mΩ@10V，6.0A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G6K8P15SE
阈值电压：4V
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：660mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3621
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250μA
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：21mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4405
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：9.5nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
反向传输电容：63pF
导通电阻：35mΩ@10V，6.0A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4405
功率：3.1W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：9.5nC
输入电容：550pF
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
反向传输电容：63pF
导通电阻：35mΩ@10V，6.0A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3621
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250μA
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：21mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3621
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250μA
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：21mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3621
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250μA
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：21mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G400P06S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.506nF@30V
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：33mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G6K8P15SE
阈值电压：4V
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：660mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G6K8P15SE
阈值电压：4V
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：660mΩ@10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G400P06S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.506nF@30V
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：33mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3621
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250μA
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：21mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3621
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@250μA
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：21mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2232
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J338R，LF
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.4nF@6V
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：17.6mΩ@8V，6A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5403DC-T1-GE3
功率：6.3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@10V，7.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G400P06S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.506nF@30V
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：33mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2232
规格型号(MPN)：SSM3J338R，LF
输入电容：1.4nF@6V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：17.6mΩ@8V，6A
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：12V
功率：1W
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G29
阈值电压：900mV@250μA
输入电容：1.151nF@10V
栅极电荷：12.5nC@10V
导通电阻：30mΩ@3A，4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
功率：1W
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A060ZPTR
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：23mΩ@6A，4.5V
栅极电荷：34nC@4.5V
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：12V
连续漏极电流：6A
反向传输电容：310pF@6V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
输入电容：2.8nF@6V
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
