品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P10TE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:44.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P10TE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:44.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P10TE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:44.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P03D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:24.5nC@10V
输入电容:1.253nF@15V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
反向传输电容:158pF@15V
导通电阻:17mΩ@10V,6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P10TE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:44.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P10K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:33nC@10V
输入电容:1.72nF@50V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:200mΩ@10V,6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P10K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:33nC@10V
输入电容:1.72nF@50V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:200mΩ@10V,6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P03D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:24.5nC@10V
输入电容:1.253nF@15V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
反向传输电容:158pF@15V
导通电阻:17mΩ@10V,6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
功率:1.9W€12.5W
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
栅极电荷:40nC@4.5V
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
功率:1.9W€12.5W
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
栅极电荷:40nC@4.5V
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G12P10TE
工作温度:-55℃~+150℃
功率:44.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R4VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@6V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: