品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0610
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:3.5V@1mA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP3306FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@18V
连续漏极电流:90mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS250FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:90mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0610
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:3.5V@1mA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP1320FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:35mA
类型:P沟道
导通电阻:80Ω@50mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0610
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:3.5V@1mA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0610-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2106ASTZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:100pF@18V
连续漏极电流:280mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0610
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:3.5V@1mA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0610
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:3.5V@1mA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP3310FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:75mA
类型:P沟道
导通电阻:20Ω@150mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@375mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP3306A
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:50pF@18V
连续漏极电流:160mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2110K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2106A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@18V
连续漏极电流:280mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP3310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:20Ω@150mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP3310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:20Ω@150mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP3306FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@18V
连续漏极电流:90mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP3306FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@18V
连续漏极电流:90mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP2110A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@375mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP1320FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:35mA
类型:P沟道
导通电阻:80Ω@50mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS250P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS250P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:P沟道
导通电阻:30Ω@100mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP1320FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:35mA
类型:P沟道
导通电阻:80Ω@50mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP3306FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@18V
连续漏极电流:90mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP1320FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:35mA
类型:P沟道
导通电阻:80Ω@50mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS250P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:230mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BS250FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:90mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存: