品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB950UPELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTS21115C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB350UPE,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€3.125W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:127pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:450mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ950UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ950UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1508
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV27UPER
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€4.15W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:22.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB950UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV27UPER
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€4.15W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:22.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV27UPEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€4.15W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:22.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH950UPEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW€2.2W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV27UPEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€4.15W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":48970}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB950UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV27UPER
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€4.15W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:22.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ950UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH205G2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:418pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:170mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB350UPE,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€3.125W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:127pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:450mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH950UPEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW€2.2W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ350UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€3.125W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:127pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:450mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV27UPER
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€4.15W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTS21115C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH205G2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:418pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:170mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH205G2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:418pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:170mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV27UPEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€4.15W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:22.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV27UPER
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€4.15W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTS21115C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: