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    行业应用: 汽车
    类型: P沟道
    阈值电压: 1.5V@250µA
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:200+
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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS4465 起订5个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS4465 起订5个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4465

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:120nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8237pF@10V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375 起订5个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375 起订5个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6375

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2694pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订213个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订213个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":235,"23+":1866}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4465

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8237pF@10V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401EJ-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401EJ-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA401EJ-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:3.75A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375 起订100个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375 起订100个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6375

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2694pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD306P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@6V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订13个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订13个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":235,"23+":1866}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4465

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8237pF@10V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ123ELP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ123ELP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:180nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11680pF@6V

    连续漏极电流:238A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ123ELP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ123ELP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:180nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11680pF@6V

    连续漏极电流:238A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401EJ-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401EJ-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA401EJ-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:3.75A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS4465 起订1250个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS4465 起订1250个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4465

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:120nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8237pF@10V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4465

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:120nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8237pF@10V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375 起订625个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375 起订625个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6375

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2694pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2351ES-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2351ES-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2351ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2351ES-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2351ES-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2351ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ123ELP-T1_GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ123ELP-T1_GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:180nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11680pF@6V

    连续漏极电流:238A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401EJ-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401EJ-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA401EJ-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:3.75A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375 起订1250个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6375 起订1250个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6375

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2694pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2351ES-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2351ES-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2351ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4465 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4465

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:120nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8237pF@10V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2351ES-T1_GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2351ES-T1_GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2351ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401EJ-T1_GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401EJ-T1_GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA401EJ-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:3.75A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ401EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ401EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ401EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:164nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10015pF@6V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD306P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@6V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH2040UVTQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH2040UVTQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH2040UVTQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:834pF@10V

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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