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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订20个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订20个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5460pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5460pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443DDV-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443DDV-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@10V

    连续漏极电流:4A€5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443CDV-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443CDV-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@10V

    连续漏极电流:5.97A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5460pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443CDV-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443CDV-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@10V

    连续漏极电流:5.97A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1469DH-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1469DH-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1469DH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W€2.78W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@10V

    连续漏极电流:3.2A€2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5460pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443DDV-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443DDV-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@10V

    连续漏极电流:4A€5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9433BDY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9433BDY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1079X-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1079X-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1079X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@15V

    连续漏极电流:1.44A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443CDV-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443CDV-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:12.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@10V

    连续漏极电流:5.97A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA449DJ-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA449DJ-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA449DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2140pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@10V

    连续漏极电流:26.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7629DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7629DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7629DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:177nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5790pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9433BDY-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9433BDY-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS63DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS63DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS63DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.8W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:236nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7080pF@10V

    连续漏极电流:35.1A€127.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7623DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7623DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7623DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5460pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401EJ-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA401EJ-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA401EJ-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:3.75A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3407DV-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3407DV-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3407DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1443EDH-T1-GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1443EDH-T1-GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1443EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€2.8W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:54mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2371EDS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2371EDS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2371EDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443CDV-T1-GE3 起订23个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443CDV-T1-GE3 起订23个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:12.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@10V

    连续漏极电流:5.97A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS63DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS63DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS63DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.8W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:236nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7080pF@10V

    连续漏极电流:35.1A€127.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443DDV-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443DDV-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@10V

    连续漏极电流:4A€5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS63DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS63DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS63DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.8W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:236nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7080pF@10V

    连续漏极电流:35.1A€127.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2301ES-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2301ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:425pF@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@10V

    连续漏极电流:26.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@10V

    连续漏极电流:26.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443DDV-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443DDV-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@10V

    连续漏极电流:4A€5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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