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    UMW Mosfet场效应管 AO4435 起订3个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4435 起订3个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    UMW Mosfet场效应管 AO4435
    UMW Mosfet场效应管 AO4435

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    谷峰 Mosfet场效应管 4435
    谷峰 Mosfet场效应管 4435

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2270pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:24
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180P03CS RLG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1730pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180P03CS RLG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1730pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 AO4435
    UMW Mosfet场效应管 AO4435

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 AO4435
    UMW Mosfet场效应管 AO4435

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 AO4435
    UMW Mosfet场效应管 AO4435

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:600
    UMW Mosfet场效应管 AO4435
    UMW Mosfet场效应管 AO4435

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:40
    UMW Mosfet场效应管 AO4435
    UMW Mosfet场效应管 AO4435

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2738GR-E1-AX 起订2500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA2738GR-E1-AX 起订2500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):UPA2738GR-E1-AX

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9435A 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9435A 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9435A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:528pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9317TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9317TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9317TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.4V@50µA

    栅极电荷:92nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2820pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.6mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
    UMW Mosfet场效应管 AO4435
    UMW Mosfet场效应管 AO4435

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:29
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180P03CS RLG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1730pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180P03CS RLG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1730pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180P03CS RLG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1730pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180P03CS RLG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1730pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180P03CS RLG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1730pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 AO4435
    UMW Mosfet场效应管 AO4435

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180P03CS RLG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1730pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 AO4435
    UMW Mosfet场效应管 AO4435

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 4435
    谷峰 Mosfet场效应管 4435

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2270pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:24
    UMW Mosfet场效应管 AO4435
    UMW Mosfet场效应管 AO4435

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    UMW Mosfet场效应管 AO4435
    UMW Mosfet场效应管 AO4435

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 4435
    谷峰 Mosfet场效应管 4435

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2270pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 AO4435
    UMW Mosfet场效应管 AO4435

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180P03CS RLG

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    工作温度:150℃

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    输入电容:1730pF@15V

    类型:P沟道

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180P03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180P03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180P03CS RLG

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    工作温度:150℃

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    输入电容:1730pF@15V

    类型:P沟道

    功率:2.5W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Central Mosfet场效应管 CWDM3011P TR13 PBFREE
    Central Mosfet场效应管 CWDM3011P TR13 PBFREE

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CWDM3011P TR13 PBFREE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@8V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:3
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