品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9214TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@1.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4525E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:3.45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
连续漏极电流:197mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP317PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@370µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:262pF@25V
连续漏极电流:430mA
类型:P沟道
导通电阻:4Ω@430mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9214TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@1.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:81pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI9634GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:81pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9214TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@1.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9214PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@1.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP317PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@370µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:262pF@25V
连续漏极电流:430mA
类型:P沟道
导通电阻:4Ω@430mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4525GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
连续漏极电流:265mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4525GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:3.45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
连续漏极电流:265mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9214TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@1.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI9634GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP317PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@370µA
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:262pF@25V
连续漏极电流:430mA
类型:P沟道
导通电阻:4Ω@430mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR92PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@130µA
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:109pF@25V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:11Ω@140mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP225,115
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.8V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@25V
连续漏极电流:225mA
类型:P沟道
导通电阻:15Ω@200mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4525E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:3.45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
连续漏极电流:197mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9214PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@1.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP92PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@130µA
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:104pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@260mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS192PH6327FTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:104pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@190mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP92PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:104pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@260mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS192PH6327FTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:104pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@190mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4525E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:3.45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
连续漏极电流:197mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:81pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:81pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS192PH6327FTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@130µA
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:104pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@190mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU9214PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@1.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI9634GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP225,115
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.8V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@25V
连续漏极电流:225mA
类型:P沟道
导通电阻:15Ω@200mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存: