采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UFY4Q-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：282pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4A，4.5V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2165UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2165UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2069UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：214pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1100UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：670mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：83mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：21+
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2069UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：214pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UFY4Q-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：282pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4A，4.5V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2069UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：214pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UFY4Q-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：282pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4A，4.5V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2069UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：214pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：54mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2165UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
