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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4141-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2005pF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：FDS4141-F085
工作温度：-55℃~150℃
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类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@10.5A，10V
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品牌：ON SEMI
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规格型号(MPN)：FDS4141-F085
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
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功率：27.8W
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类型：P沟道
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
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连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
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类型：P沟道
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类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
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栅极电荷：16.5nC@10V
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规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
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栅极电荷：16.5nC@10V
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：27.8W
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：27.8W
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连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
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输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4141-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2005pF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4141-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2005pF@20V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@50V
连续漏极电流：10.8A
类型：P沟道
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7113ADN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：132mΩ@3.8A，10V
类型：P沟道
功率：27.8W
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
连续漏极电流：10.8A
漏源电压：100V
输入电容：515pF@50V
阈值电压：2.6V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
