包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CTXG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：244W

阈值电压：4V

栅极电荷：251nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：558A

类型：MOSFET

导通电阻：450μΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035N10A

工作温度：-55℃~+175℃

功率：333W

阈值电压：4V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：214A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035N10A

工作温度：-55℃~+175℃

功率：333W

阈值电压：4V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：214A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2956，"23+"：9000}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CTXG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：244W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：251nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：558A

类型：MOSFET

导通电阻：450μΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2956，"23+"：9000}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CTXG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：244W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：251nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：558A

类型：MOSFET

导通电阻：450μΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMJST1D2N04CTXG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：454W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：82nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：451A

类型：MOSFET

导通电阻：1.25mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C628NWFT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：110W

阈值电压：4V

栅极电荷：34nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBGS2D5N06C

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：4V

栅极电荷：45.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：169A

类型：MOSFET

导通电阻：2.65mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMJST1D2N04CTXG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：454W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：82nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：451A

类型：MOSFET

导通电阻：1.25mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C628NWFT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：110W

阈值电压：4V

栅极电荷：34nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C628NWFT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：110W

阈值电压：4V

栅极电荷：34nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD19DP10NMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：4V

栅极电荷：36nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.7A

类型：MOSFET

导通电阻：186mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS6H848NLT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：73W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：16nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：57A

类型：MOSFET

导通电阻：9.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS6H848NLT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：73W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：16nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：57A

类型：MOSFET

导通电阻：9.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UF3C065080B3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：115W

阈值电压：4V

栅极电荷：51nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：100mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UF3C065080B3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：115W

阈值电压：4V

栅极电荷：51nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：100mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFD024N06CT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：28W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：5.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：22.6mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBGS2D5N06C

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：4V

栅极电荷：45.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：169A

类型：MOSFET

导通电阻：2.65mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMJST1D2N04CTXG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：454W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：82nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：451A

类型：MOSFET

导通电阻：1.25mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CTXG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：244W

阈值电压：4V

栅极电荷：251nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：558A

类型：MOSFET

导通电阻：450μΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS6H848NLT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：73W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：16nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：57A

类型：MOSFET

导通电阻：9.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS6H848NLT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：73W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：16nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：57A

类型：MOSFET

导通电阻：9.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBGS001N06C

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3.7W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：139nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：342A

类型：MOSFET

导通电阻：1.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035N10A

工作温度：-55℃~+175℃

功率：333W

阈值电压：4V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：214A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035N10A

工作温度：-55℃~+175℃

功率：333W

阈值电压：4V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：214A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2956，"23+"：9000}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CTXG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：244W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：251nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：558A

类型：MOSFET

导通电阻：450μΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035N10A

工作温度：-55℃~+175℃

功率：333W

阈值电压：4V

栅极电荷：89nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：214A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1