采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5468，"21+"：66398}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTND31015NZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.3pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC076N04NDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.3W€65W
阈值电压：4V@30µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5866A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€68.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1574pF@25V
连续漏极电流：7A€40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C650NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€125W
阈值电压：2.2V@98µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2546pF@25V
连续漏极电流：21A€111A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFN8459TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：3.9V@50µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7956DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@4.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K32HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：65mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAKVYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3000，"18+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8664R-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23.5mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC6605R-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C680NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€19W
阈值电压：2.2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138BKSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMGD7N45SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.64W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：256pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4Ω@400mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3135LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3016LDV-7
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1184pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12mΩ@7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6954ADQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：53mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB00EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ910EL-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2832pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1028NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：68mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI4212H-117PXKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：18W
阈值电压：5V@250µA
包装方式：管件
输入电容：490pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：72.5mΩ@6.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K5R6-30EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：64W
阈值电压：2.1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2480pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@10A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S4L08AATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：2.2V@22µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ914EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：54000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL207NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@11µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：419pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：70mΩ@2.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@20V
连续漏极电流：9A€39A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS944ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@1.25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€40W
阈值电压：2.2V@30µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@25V
连续漏极电流：14A€52A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN10LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：70W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
