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    onsemi Mosfet场效应管 FDC6420C
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6420C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6420C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:324pF@10V

    连续漏极电流:3A€2.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:70mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3590DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A€1.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6321C
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6321C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6321C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:500mA€410mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    DIODES Mosfet场效应管 DMC25D0UVT-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMC25D0UVT-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC25D0UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26.2pF@10V

    连续漏极电流:400mA€3.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V€30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMC25D1UVT-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMC25D1UVT-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC25D1UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.6pF@10V

    连续漏极电流:500mA€3.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V€12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:14
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3.9A€2.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3.9A€2.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6327C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@10V

    连续漏极电流:2.7A€1.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3590DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A€1.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMC1018UPD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMC1018UPD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC1018UPD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1525pF@6V

    连续漏极电流:9.5A€6.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:17mΩ@11.8A,4.5V

    漏源电压:12V€20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT2G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT2G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4105CT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA€775mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V€8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6332C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:113pF@10V

    连续漏极电流:700mA€600mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5513CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:285pF@10V

    连续漏极电流:4A€3.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:55mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW€340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V€43pF@10V

    连续漏极电流:700mA€700mA€400mA€500mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDG8842CZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDG8842CZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG8842CZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@10V

    连续漏极电流:750mA€410mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:400mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:30V€25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6327C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@10V

    连续漏极电流:2.7A€1.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTGD4167CT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGD4167CT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGD4167CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@15V

    连续漏极电流:2.6A€1.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6322C
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6322C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6322C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@10V

    连续漏极电流:220mA€410mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:4Ω@220mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4951
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6327C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@10V

    连续漏极电流:2.7A€1.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC1015UPD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMC1015UPD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC1015UPD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1495pF@6V

    连续漏极电流:9.5A€6.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:17mΩ@11.8A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6332C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:113pF@10V

    连续漏极电流:700mA€600mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5513CDC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:285pF@10V

    连续漏极电流:4A€3.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:55mΩ@4.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4105CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA€775mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V€8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订14个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订14个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:700mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:390mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:700mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:390mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:700mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:390mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:700mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:390mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6320C
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6320C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":140000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6320C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@10V

    连续漏极电流:220mA€120mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1512
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3.9A€2.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    DIODES Mosfet场效应管 DMC25D0UVT-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMC25D0UVT-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC25D0UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26.2pF@10V

    连续漏极电流:400mA€3.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V€30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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