采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M10FRATB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V€850pF@10V
连续漏极电流：7A€4.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6L09FUTE85LF
工作温度：150℃
功率：300mW
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@5V
连续漏极电流：400mA€200mA
类型：N和P沟道
导通电阻：700mΩ@200MA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8MA2TCR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：4.5A€3A
类型：N和P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS7C4F30L
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：7A€4A
类型：N和P沟道
导通电阻：22mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M3HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V€850pF@10V
连续漏极电流：5A€4.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6L40TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA€2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@15V€120pF@15V
连续漏极电流：1.6A€1.4A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FW4604-TL-2W
工作温度：150℃
功率：1.8W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：6A€4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：39mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M3HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V€850pF@10V
连续漏极电流：5A€4.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M3TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：5A€4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：51mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8MA3TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@15V€480pF@15V
连续漏极电流：7A€6A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FW4604-TL-2W
工作温度：150℃
功率：1.8W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：6A€4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：39mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8MA3TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@15V€480pF@15V
连续漏极电流：7A€6A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6L09FUTE85LF
工作温度：150℃
功率：300mW
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@5V
连续漏极电流：400mA€200mA
类型：N和P沟道
导通电阻：700mΩ@200MA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8MA4TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@15V€890pF@15V
连续漏极电流：9A€8.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8661-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@10V
连续漏极电流：7A€5.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：24mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M3HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V€850pF@10V
连续漏极电流：5A€4.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M3HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V€850pF@10V
连续漏极电流：5A€4.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8MA3TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@15V€480pF@15V
连续漏极电流：7A€6A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6L40TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA€2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@15V€120pF@15V
连续漏极电流：1.6A€1.4A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M13GZETB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：6A€7A
类型：N和P沟道
导通电阻：29mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6L40TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA€2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@15V€120pF@15V
连续漏极电流：1.6A€1.4A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8660-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：59mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8661-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@10V
连续漏极电流：7A€5.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：24mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8661-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@10V
连续漏极电流：7A€5.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：24mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M3TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：5A€4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：51mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6L09FUTE85LF
工作温度：150℃
功率：300mW
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@5V
连续漏极电流：400mA€200mA
类型：N和P沟道
导通电阻：700mΩ@200MA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：22500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FW4604-TL-2W
工作温度：150℃
功率：1.8W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：6A€4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：39mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8M13TCR
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@10V
连续漏极电流：6A€5A
类型：N和P沟道
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8MA3TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@15V€480pF@15V
连续漏极电流：7A€6A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M3HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V€850pF@10V
连续漏极电流：5A€4.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
