品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMD6P02R2G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:33mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:4.8A
功率:750mW
输入电容:1700pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1025P
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:450pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:剪切带(CT)
漏源电压:20V
导通电阻:155mΩ@3.1A,4.5V
连续漏极电流:3.1A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1025P
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:450pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:剪切带(CT)
漏源电压:20V
导通电阻:155mΩ@3.1A,4.5V
连续漏极电流:3.1A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"08+":28246}
规格型号(MPN):NTUD3171PZT5G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
连续漏极电流:200mA
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
输入电容:13.5pF@15V
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"07+":22847,"MI+":8000}
规格型号(MPN):NTUD3129PT5G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:140mA
功率:125mW
输入电容:12pF@15V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":20000}
规格型号(MPN):FDME1023PZT
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
导通电阻:142mΩ@2.3A,4.5V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:405pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1029PZ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@10V
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:95mΩ@3.1A,4.5V
连续漏极电流:3.1A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4102PT1G
导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.9A
输入电容:750pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1029PZ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:95mΩ@3.1A,4.5V
连续漏极电流:3.1A
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD3A50PZTAG
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.8A
功率:500mW
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4152PT2G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:880mA
输入电容:155pF@20V
类型:2个P沟道(双)
功率:272mW
漏源电压:20V
导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6306P
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:170mΩ@1.9A,4.5V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:441pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4102PT1G
导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.9A
输入电容:750pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6312P
导通电阻:115mΩ@2.3A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.3A
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:700mW
输入电容:467pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8654-TL-H
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:38mΩ@3A,4.5V
工作温度:150℃
功率:1.5W
连续漏极电流:5A
漏源电压:20V
输入电容:960pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1023PZ
输入电容:655pF@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
连续漏极电流:3.7A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:72mΩ@3.7A,4.5V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8654-TL-H
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:38mΩ@3A,4.5V
工作温度:150℃
功率:1.5W
连续漏极电流:5A
漏源电压:20V
输入电容:960pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6312P
导通电阻:115mΩ@2.3A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.3A
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:700mW
输入电容:467pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUD3A50PZTAG
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.8A
功率:500mW
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:50mΩ@4A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
功率:250mW
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJD3115PT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.3A
类型:2个P沟道(双)
输入电容:531pF@10V
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:100mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:710mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8654-TL-H
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:38mΩ@3A,4.5V
工作温度:150℃
功率:1.5W
连续漏极电流:5A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:960pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":31741}
规格型号(MPN):NTZD3152PT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:430mA
功率:250mW
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4152PT2G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:880mA
输入电容:155pF@20V
类型:2个P沟道(双)
功率:272mW
漏源电压:20V
导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4152PT1G
阈值电压:1.2V@250µA
连续漏极电流:880mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@20V
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
漏源电压:20V
导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3171PZT5G
功率:125mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
输入电容:13.5pF@15V
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4152PT2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@20V
连续漏极电流:880mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6306P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:114pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:420mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: