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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P35AFE，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P35AFE，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6P35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6P35AFE，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
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导通电阻：4Ω@500mA，10V
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规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
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功率：350mW
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输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：强茂
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6P35AFE，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P35AFE，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
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输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P35AFE，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6P35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P35AFE，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P35AFE，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P35AFE，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P35AFU，LF
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
包装方式：卷带（TR）
类型：2个P沟道（双）
功率：285mW
工作温度：150℃
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
阈值电压：1V@100µA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P35AFU，LF
工作温度：150℃
功率：285mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
