品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN357N
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:235pF@10V
阈值电压:2V@250µA
功率:500mW
栅极电荷:5.9nC@5V
导通电阻:60mΩ@2.2A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN358P
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:182pF@15V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
栅极电荷:5.6nC@10V
导通电阻:125mΩ@1.5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN337N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:9nC@4.5V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:2.2A
输入电容:300pF@10V
导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN352AP
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
导通电阻:180mΩ@1.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN357N
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:235pF@10V
阈值电压:2V@250µA
功率:500mW
栅极电荷:5.9nC@5V
导通电阻:60mΩ@2.2A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN352AP
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
导通电阻:180mΩ@1.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN358P
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:182pF@15V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
栅极电荷:5.6nC@10V
导通电阻:125mΩ@1.5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":10106,"21+":8405,"22+":26339,"24+":30000,"MI+":2932}
规格型号(MPN):FDN357N
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:235pF@10V
阈值电压:2V@250µA
功率:500mW
栅极电荷:5.9nC@5V
导通电阻:60mΩ@2.2A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:300mΩ@10V,1A
输入电容:135pF@15V
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN359BN
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:650pF@15V
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@2.7A,10V
功率:500mW
栅极电荷:7nC@5V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:300mΩ@10V,1A
输入电容:135pF@15V
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN359AN
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:480pF@10V
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@2.7A,10V
功率:500mW
栅极电荷:7nC@5V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS355AN
输入电容:195pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:85mΩ@1.9A,10V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5nC@5V
功率:500mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS355AN
输入电容:195pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:85mΩ@1.9A,10V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:5nC@5V
功率:500mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4141NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:560pF@24V
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
功率:500mW
导通电阻:25mΩ@7A,10V
连续漏极电流:3.5A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUF4189NZTBG
导通电阻:200mΩ@1.5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
输入电容:95pF@15V
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN337N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:9nC@4.5V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:2.2A
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:300mΩ@10V,1A
输入电容:135pF@15V
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:300mΩ@10V,1A
输入电容:135pF@15V
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:900mA
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN352AP
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:1.3A
导通电阻:180mΩ@1.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN358P
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:182pF@15V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
栅极电荷:5.6nC@10V
导通电阻:125mΩ@1.5A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN360P
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:298pF@15V
导通电阻:80mΩ@2A,10V
连续漏极电流:2A
功率:500mW
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN337N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:9nC@4.5V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:2.2A
输入电容:300pF@10V
导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:300mΩ@10V,1A
输入电容:135pF@15V
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:900mA
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4141NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:560pF@24V
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
功率:500mW
导通电阻:25mΩ@7A,10V
连续漏极电流:3.5A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN358P
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:182pF@15V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
类型:P沟道
栅极电荷:5.6nC@10V
导通电阻:125mΩ@1.5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN360P
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:298pF@15V
导通电阻:80mΩ@2A,10V
连续漏极电流:2A
功率:500mW
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4141NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:560pF@24V
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
功率:500mW
导通电阻:25mΩ@7A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:3.5A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:300mΩ@10V,1A
输入电容:135pF@15V
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3455T1G
栅极电荷:13nC@10V
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
类型:P沟道
连续漏极电流:2.5A
输入电容:480pF@5V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: