采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2540N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：175mA
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@500mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J356R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2410L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0610N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@750mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN1206L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR030P02TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR030P02TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：9.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0610N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@750mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL020P02FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：4.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR025P02FRATL
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：95mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J356R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J356R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6J2TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：390mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR020P02TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：4.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR030P02TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J356R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0606L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6J2TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：390mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL020P02FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：4.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR030P02TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2635N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：P沟道
导通电阻：15Ω@300mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2410L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0606L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6J2TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：390mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6J2TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：390mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0606N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@750mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL020P02FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：4.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
