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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4645}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32320C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4645}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
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类型：N沟道
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漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32320C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
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类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
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库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32320C
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类型：N沟道
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漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32320C
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOSP32320C
工作温度：-55℃~150℃
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
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连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32320C
工作温度：-55℃~150℃
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类型：N沟道
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32320C
工作温度：-55℃~150℃
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连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32320C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.3V@250µA
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连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32320C
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：650pF@15V
类型：N沟道
连续漏极电流：8.5A
功率：2.5W
栅极电荷：20nC@10V
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品牌：AOS
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32320C
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：650pF@15V
类型：N沟道
连续漏极电流：8.5A
功率：2.5W
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：4645}
规格型号(MPN)：FDS8882
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：2.5W
栅极电荷：20nC@10V
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ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32320C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
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类型：N沟道
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32320C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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