采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6405
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K1TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：51mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6405
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6405
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K1TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：51mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4803A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：46mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3457CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6401A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：44mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6401A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：44mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6405
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3457CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4803A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：46mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3457CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6401A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：44mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4803A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：46mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3457CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRS050P03HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：5A
类型：MOSFET
导通电阻：50mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRS050P03HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：5A
类型：MOSFET
导通电阻：50mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS4803SC
功率：2W
阈值电压：700mV@250μA
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道
导通电阻：64mΩ@4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4803A
功率：2W
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道
导通电阻：46mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：90000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2791GR-E1-AT
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：36mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4803A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：46mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4803A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：46mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6401A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：44mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3457CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6405
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6405
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6405
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4803A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：46mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4803A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：46mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
