品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6344TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.1V@10µA
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3016LNS-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1184pF@15V€1188pF@15V
连续漏极电流:9A€6.8A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9435BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@5.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3481C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.7V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:70pF@15V
导通电阻:37mΩ@10V,4.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3085LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:563pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3480C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:600pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:60pF@15V
导通电阻:16mΩ@10V,6.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:18.5mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML9301TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.4V@10µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:388pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:64mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7212DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2030TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.3V@25µA
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML9301TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.4V@10µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:388pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:64mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS21311C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7212DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS5402T1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML0030TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.3V@25µA
栅极电荷:2.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:382pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@5.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7923DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:47mΩ@6.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:18.5mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32338C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML9301TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.4V@10µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:388pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:64mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:18.5mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9435BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@5.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMHC3A01T8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V€204pF@15V
连续漏极电流:2.7A€2A
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6346TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.1V@10µA
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@24V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7212DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML6344TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.1V@10µA
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32334C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML9301TRPbF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.4V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:388pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:64mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML9301TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.4V@10µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:388pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:64mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3407-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:87mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1241pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: