品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":146849,"16+":16500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU50R950CEAKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:53W
阈值电压:3.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:231pF@100V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@1.2A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7K8R7-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1439pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R950CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:53W
阈值电压:3.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:231pF@100V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@1.2A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ7415AENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@5.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R280P7S
功率:53W
阈值电压:4V@190μA
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:280mΩ@10V,3.8A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R280P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:53W
阈值电压:4V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:761pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R950CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:53W
阈值电压:3.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:231pF@100V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@1.2A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK30E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@30V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R280P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:53W
阈值电压:4V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:761pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2150
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:管件
输入电容:630pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ7415CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@5.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":554,"19+":2500,"MI+":681}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R280P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:53W
阈值电压:4V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:761pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":235740,"15+":21000,"16+":1500,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU50R950CEAKMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:53W
阈值电压:3.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:231pF@100V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@1.2A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2104
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ7415AEN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@5.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ7415AENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@5.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ7415AEN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@5.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ7415CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@5.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":221891,"18+":1258,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS70R1K4CEAKMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:53W
阈值电压:3.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ7415CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@5.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K17-60E,115
工作温度:-55℃~+175℃
功率:53W
阈值电压:1.7V@1mA
栅极电荷:16.5nC@5V
输入电容:1.667nF@25V
连续漏极电流:26A
类型:2个N沟道
反向传输电容:91pF@25V
导通电阻:14mΩ@5V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":653850,"MI+":12500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R280P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:53W
阈值电压:4V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:761pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ7415AEN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@5.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:21+
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2104
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R1K4CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:53W
阈值电压:3.5V@130µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7K45-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1533pF@25V
连续漏极电流:21.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:37.6mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R280P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:53W
阈值电压:4V@190µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:761pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7K17-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1578pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: