采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18512Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7120pF@20V
连续漏极电流：211A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSI
工作温度：-55℃~+150℃
功率：139W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：122nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：900μΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSI
工作温度：-55℃~+150℃
功率：139W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：122nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：900μΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18512Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7120pF@20V
连续漏极电流：211A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18512Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7120pF@20V
连续漏极电流：211A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18512Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
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连续漏极电流：211A
类型：N沟道
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18512Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7120pF@20V
连续漏极电流：211A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18512Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
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输入电容：7120pF@20V
连续漏极电流：211A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18512Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18512Q5B
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功率：139W
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类型：N沟道
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18512Q5B
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功率：139W
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18512Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18512Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
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连续漏极电流：211A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18512Q5B
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功率：139W
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：211A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18512Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：2.2V@250µA
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输入电容：7120pF@20V
连续漏极电流：211A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSI
工作温度：-55℃~+150℃
功率：139W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：122nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：900μΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18512Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：2.2V@250µA
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输入电容：7120pF@20V
连续漏极电流：211A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSI
工作温度：-55℃~+150℃
功率：139W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：122nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：900μΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18512Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7120pF@20V
连续漏极电流：211A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSI
工作温度：-55℃~+150℃
功率：139W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：122nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：900μΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSI
工作温度：-55℃~+150℃
功率：139W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：122nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：900μΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18512Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7120pF@20V
连续漏极电流：211A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18512Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
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输入电容：7120pF@20V
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSI
工作温度：-55℃~+150℃
功率：139W
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栅极电荷：122nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：900μΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18512Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7120pF@20V
连续漏极电流：211A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSI
工作温度：-55℃~+150℃
功率：139W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：122nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：900μΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18512Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
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输入电容：7120pF@20V
连续漏极电流：211A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18512Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7120pF@20V
连续漏极电流：211A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：5000psc
规格型号(MPN)：BSC010N04LSI
功率：139W
包装方式：Reel
漏源电压：40V
栅极电荷：122nC
导通电阻：900μΩ
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：100A
阈值电压：1.2V
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010N04LSI
工作温度：-55℃~+150℃
功率：139W
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包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：900μΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
