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    行业应用: 汽车
    功率: 1.9W
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: P沟道
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:200+
    商品信息
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    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A16N8TA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A16N8TA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):ZXMP3A16N8TA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1022pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:40mΩ@4.2A,10V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    功率:1.9W

    连续漏极电流:5.6A

    栅极电荷:29.6nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7463DP-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    连续漏极电流:11A

    栅极电荷:140nC@10V

    导通电阻:9.2mΩ@18.6A,10V

    类型:P沟道

    功率:1.9W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P沟道

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    栅极电荷:190nC@10V

    连续漏极电流:8.6A

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SL3007-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 SL3007-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SL3007-TP

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    输入电容:1500pF@15V

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    功率:1.9W

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:P沟道

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:2.2A

    栅极电荷:135nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P沟道

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    栅极电荷:190nC@10V

    连续漏极电流:8.6A

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P沟道

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    栅极电荷:190nC@10V

    连续漏极电流:8.6A

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2021UFDE-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2021UFDE-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2021UFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:16mΩ@7A,4.5V

    输入电容:2760pF@15V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    功率:1.9W

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:11.1A

    栅极电荷:59nC@8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:P沟道

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:2.2A

    栅极电荷:135nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P沟道

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    栅极电荷:190nC@10V

    连续漏极电流:8.6A

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A16N8TA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A16N8TA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):ZXMP3A16N8TA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1022pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:40mΩ@4.2A,10V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    功率:1.9W

    连续漏极电流:5.6A

    栅极电荷:29.6nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2021UFDE-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2021UFDE-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2021UFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:16mΩ@7A,4.5V

    输入电容:2760pF@15V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    功率:1.9W

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:11.1A

    栅极电荷:59nC@8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:P沟道

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:2.2A

    栅极电荷:135nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463DP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463DP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7463DP-T1-GE3

    导通电阻:9.2mΩ@18.6A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P沟道

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    功率:1.9W

    连续漏极电流:11A

    栅极电荷:140nC@10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P沟道

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    栅极电荷:190nC@10V

    连续漏极电流:8.6A

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A16N8TA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A16N8TA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):ZXMP3A16N8TA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1022pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:40mΩ@4.2A,10V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    功率:1.9W

    连续漏极电流:5.6A

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.6nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDZ193P 起订1276个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDZ193P 起订1276个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDZ193P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7483ADP-T1-E3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7483ADP-T1-E3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:08+

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7483ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.7mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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