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    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080BGTCR 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080BGTCR 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7G080BGTCR

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:10.6nC@10V

    输入电容:530pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订23个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订23个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080BGTCR 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080BGTCR 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7G080BGTCR

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:10.6nC@10V

    输入电容:530pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    类型:1个N沟道

    栅极电荷:6.7nC@10V

    阈值电压:2.5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    功率:1.1W

    连续漏极电流:2.2A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B03E6TA 起订750个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B03E6TA 起订750个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B03E6TA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:14.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.16nF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5V,4.3A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080BGTCR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080BGTCR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7G080BGTCR

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:10.6nC@10V

    输入电容:530pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPT2N32-6/TR 起订1200个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPT2N32-6/TR 起订1200个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WPT2N32-6/TR

    功率:1.1W

    阈值电压:860mV@250μA

    连续漏极电流:800mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@4.5V,550mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080BGTCR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080BGTCR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7G080BGTCR

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:10.6nC@10V

    输入电容:530pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LFDF-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:384pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:225mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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