品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MP5N50
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MP5N50
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MP5N50
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MP5N50
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MP5N50
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
阈值电压:3.3V@250μA
类型:1个N沟道
连续漏极电流:5A
输入电容:657pF@25V
栅极电荷:26nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
反向传输电容:13pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
类型:1个N沟道
栅极电荷:26nC@10V
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
连续漏极电流:9.5A
输入电容:510pF@25V
ECCN:EAR99
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: