品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD78CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@12µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:716pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD78CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@12µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:716pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD78CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@12µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:716pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":54,"20+":349,"21+":4408,"MI+":340}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD78CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@12µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:716pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD78CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@12µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:716pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD78CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@12µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:716pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD78CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@12µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:716pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3410TR
功率:31W
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120NTR
功率:31W
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD78CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@12µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:716pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD78CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@12µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:716pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD78CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@12µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:716pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":54,"20+":349,"21+":4408,"MI+":340}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD78CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@12µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:716pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2381,"23+":6287}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD78CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@12µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:716pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD78CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@12µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:716pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD78CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@12µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:716pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD78CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@12µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:716pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2381,"23+":6287}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD78CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@12µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:716pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD78CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@12µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:716pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD78CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@12µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:716pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD78CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@12µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:716pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3410TR
功率:31W
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF360N80S3Z
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:3.8V@0.3mA
栅极电荷:25.3nC@10V
输入电容:1.143nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@10V,6.5A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF360N80S3Z
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:3.8V@0.3mA
栅极电荷:25.3nC@10V
输入电容:1.143nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@10V,6.5A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3410TR
功率:31W
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3410TR
功率:31W
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD78CN10NGATMA1
输入电容:716pF@50V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:78mΩ@13A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:13A
功率:31W
阈值电压:4V@12µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3410TR
连续漏极电流:13A
功率:31W
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF360N80S3Z
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:3.8V@0.3mA
栅极电荷:25.3nC@10V
输入电容:1.143nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@10V,6.5A
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD78CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@12µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:716pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: