品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB390N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@75V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@27A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630
工作温度:-65℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL12P6F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@48V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL12P6F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@48V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86380-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630
工作温度:-65℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630
工作温度:-65℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1678}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD26AN06A0-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:7A€36A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@36A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3698}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86380-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB390N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@75V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@27A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630
工作温度:-65℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630
工作温度:-65℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL12P6F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@48V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB390N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@75V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@27A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL12P6F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@48V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL12P6F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@48V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS9420-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9410-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1715pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS9420-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL12P6F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@48V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1678}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD26AN06A0-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:7A€36A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@36A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB390N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@75V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@27A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3698}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86380-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2500,"23+":13980,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9410-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1715pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB390N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@75V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@27A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86380-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6400}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB390N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@75V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@27A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630
工作温度:-65℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630
工作温度:-65℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: