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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9945BEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：64mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9945BEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：64mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3481EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：180psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMA4030
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：3A
功率：4W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：40MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@3mA，1.5A
包装方式：管件
晶体管类型：4 NPN 达林顿（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1.5A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381P
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4946CEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9945BEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：64mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9945BEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：64mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9945BEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：64mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9945BEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：64mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9945BEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：64mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9945BEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：64mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：18psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMA6010
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：4A
功率：4W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
特征频率：75MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@6mA，3A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@3A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9945BEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：64mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9945BEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：64mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381PT
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381PT
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381PT
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：180psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMA4030
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：3A
功率：4W
集电集截止电流(Icbo)：10µA
特征频率：40MHz
工作温度：150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@3mA，1.5A
ECCN：EAR99
包装方式：管件
晶体管类型：4 NPN 达林顿（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1.5A，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381PT
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4946CEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4946CEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381P
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4946CEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87381PT
工作温度：-55℃~150℃
功率：4W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：16.3mΩ@8A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9945BEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：64mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9945BEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：64mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9945BEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：64mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9945BEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：64mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
