采购热线 400-661-9010
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRFE6S9060NR1
功率：14W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRFE6S9060NR1
功率：14W
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRFE6S9060NR1
功率：14W
包装方式：卷带（TR）
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品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRFE6S9060NR1
功率：14W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRFE6S9060NR1
功率：14W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRFE6S9060NR1
功率：14W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
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品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRFE6S9060NR1
功率：14W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRFE6S9060NR1
功率：14W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRFE6S9060NR1
功率：14W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRFE6S9060NR1
功率：14W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD682S
集射极击穿电压(Vceo)：100V
集电极电流(Ic)：4A
功率：14W
集电集截止电流(Icbo)：500μA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@1.5A，30mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，1.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：3216pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：34A
功率：14W
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
类型：P沟道
栅极电荷：56nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：3216pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：34A
功率：14W
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
类型：P沟道
栅极电荷：56nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRFE6S9060NR1
功率：14W
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRFE6S9060NR1
功率：14W
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3216pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRFE6S9060NR1
功率：14W
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
