采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMYH200R100M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：5.5V@6mA
栅极电荷：55nC@18V
包装方式：管件
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：131mΩ@10A，18V
漏源电压：2000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMYH200R100M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：5.5V@6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@18V
包装方式：管件
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：131mΩ@10A，18V
漏源电压：2000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y2R0-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：90.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5450pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF4C120070K3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@800V
连续漏极电流：27.5A
类型：N沟道
导通电阻：91mΩ@20A，12V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19501KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3980pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y2R0-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5450pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19501KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3980pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF4C120070K3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@800V
连续漏极电流：27.5A
类型：N沟道
导通电阻：91mΩ@20A，12V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19501KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3980pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF4C120070K3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@800V
连续漏极电流：27.5A
类型：N沟道
导通电阻：91mΩ@20A，12V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19501KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3980pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y2R0-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5450pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19501KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3980pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF4C120070K4S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：217W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@800V
连续漏极电流：27.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：91mΩ@20A，12V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y2R0-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5450pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：684}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19501KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3980pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF4C120070K4S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：217W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@800V
连续漏极电流：27.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：91mΩ@20A，12V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y2R0-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：90.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5450pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF4C120070K3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@800V
连续漏极电流：27.5A
类型：N沟道
导通电阻：91mΩ@20A，12V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19501KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3980pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19501KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3980pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF4C120070K3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@800V
连续漏极电流：27.5A
类型：N沟道
导通电阻：91mΩ@20A，12V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19501KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3980pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF4C120070K4S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：217W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@800V
连续漏极电流：27.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：91mΩ@20A，12V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMYH200R100M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：5.5V@6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@18V
包装方式：管件
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：131mΩ@10A，18V
漏源电压：2000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y2R0-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5450pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMYH200R100M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：5.5V@6mA
栅极电荷：55nC@18V
包装方式：管件
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：131mΩ@10A，18V
漏源电压：2000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y2R0-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5450pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19501KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3980pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF4C120070K4S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：217W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.37nF@800V
连续漏极电流：27.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：91mΩ@20A，12V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
